ON Semiconductor FDN5618P_G
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FDN5618P_G
1807-FDN5618P_G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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INTEGRATED CIRCUIT
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FDN5618P_G详情
ON Semiconductor FDN5618P_G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.25A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
170m Ω @ 1.25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
430pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13.8nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
FDN5618P_G拓展信息
ON Semiconductor
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