FDP075N15A
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ON Semiconductor FDP075N15A

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型号

FDP075N15A

utmel 编号

1807-FDP075N15A

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3

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FDP075N15A
FDP075N15A ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3

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FDP075N15A详情

ON Semiconductor FDP075N15A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 表面安装

    NO

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    130A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    333W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    PowerTrench®

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    ULTRA-LOW RESISTANCE

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7.5m Ω @ 100A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    7350pF @ 75V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    100nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    150V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    120A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0075Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    522A

  • DS 击穿电压-最小值

    150V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    588 mJ

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor FDP075N15A.

FDP075N15A拓展信息

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