ON Semiconductor FDP075N15A
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FDP075N15A
1807-FDP075N15A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
--最小包装量--
FDP075N15A详情
ON Semiconductor FDP075N15A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
130A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
333W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7350pF @ 75V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
120A
漏极-源极导通最大电阻
0.0075Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
522A
DS 击穿电压-最小值
150V
雪崩能量等级(Eas)
588 mJ
RoHS状态
符合RoHS标准
FDP075N15A拓展信息
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