ON Semiconductor FDP10N60ZU
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FDP10N60ZU
1807-FDP10N60ZU
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FDP10N60ZU详情
ON Semiconductor FDP10N60ZU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
FDP10N60ZU
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.82
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
9 A
无铅代码
有
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9 A
漏极-源极导通最大电阻
0.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
36 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
100 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
180 W
FDP10N60ZU拓展信息







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