ON Semiconductor FDPC1012S_P

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

FDPC1012S-P

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.7

Drain Current-Max (ID)

88 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

S-PDSO-N8

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

88 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0022 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

信道型

Dual N

雪崩能量等级（Eas）

181 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

反馈上限-最大值 (Crss)

130 pF