FDR4410
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ON Semiconductor FDR4410

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型号

FDR4410

utmel 编号

1807-FDR4410

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET DISC BY MFG 2/02

起订量

1最小包装量--

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FDR4410
FDR4410 ON Semiconductor MOSFET DISC BY MFG 2/02

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FDR4410详情

ON Semiconductor FDR4410重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Drain Current-Max (ID)

    9.3 A

  • Part Package Code

    SOT

  • Risk Rank

    8.78

  • Ihs Manufacturer

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Number of Elements

    1

  • Manufacturer

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer Part Number

    FDR4410

  • Rohs Code

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Style

    小概要

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    9 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.013 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.8 W

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor FDR4410.

FDR4410拓展信息

BSS138LT1G
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ON Semiconductor

BSS138L
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ON Semiconductor

NVR5198NLT1G
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ON Semiconductor

NDS0605
NDS0605

ON Semiconductor

BSS123LT1G
BSS123LT1G

ON Semiconductor

FDB33N25TM
FDB33N25TM

ON Semiconductor

BSS84LT1G
BSS84LT1G

ON Semiconductor

FDS4465
FDS4465

ON Semiconductor

FDS6681Z
FDS6681Z

ON Semiconductor

NDS355AN
NDS355AN

ON Semiconductor

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