ON Semiconductor FDR6678A
- 收藏
- 对比
FDR6678A
1807-FDR6678A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

MOSFET SSOT-8 N-CH 30V
1最小包装量--
FDR6678A详情
ON Semiconductor FDR6678A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SUPERSOT-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
FDR6678A
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.88
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
7.5 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.02 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.8 W
FDR6678A拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。