ON Semiconductor FDS4465-G
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FDS4465-G
1807-FDS4465-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Transistor MOSFET P-Channel 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
1最小包装量--
FDS4465-G详情
ON Semiconductor FDS4465-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装
8-SOIC
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
300 ns
Package
Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
厂商
onsemi
Power Dissipation (Max)
1.2W (Ta)
Product Status
Obsolete
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
PowerTrench®
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
技术
MOSFET (Metal Oxide)
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8237 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
120 nC @ 4.5 V
上升时间
24 ns
漏源电压 (Vdss)
20 V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
13.5 A
栅极至源极电压(Vgs)
8 V
场效应管特性
-
FDS4465-G拓展信息
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