ON Semiconductor FDV301N-F169

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

FDV301

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

220mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

350mW (Ta)

Product Status

Obsolete

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

318-08

Operating Temperature-Min

-55 °C

Manufacturer Part Number

FDV301N-F169

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.7

Drain Current-Max (ID)

0.22 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Tin (Sn)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.06V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9.5 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

25 V

Vgs（最大值）

±8V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

4 Ω

DS 击穿电压-最小值

25 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-