ON Semiconductor FDV302P-NB8V001
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FDV302P-NB8V001
1807-FDV302P-NB8V001
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET Digital FET P-Ch
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FDV302P-NB8V001详情
ON Semiconductor FDV302P-NB8V001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
Surface Mount, Through Hole
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120mA Ta
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
350mW Ta
Turn Off Delay Time
9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
元素配置
Single
功率耗散
350mW
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ω @ 200mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.31nC @ 4.5V
上升时间
8ns
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
120mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDV302P-NB8V001拓展信息
ON Semiconductor
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