ON Semiconductor FDV303N_F169

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

680mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

350mW (Ta)

Product Status

Obsolete

Package Description

SOT-23, 3 PIN

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

318-08

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

FDV303N-F169

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.69

Drain Current-Max (ID)

0.68 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

无铅代码

有

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.3 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

25 V

Vgs（最大值）

8V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.45 Ω

DS 击穿电压-最小值

25 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

场效应管特性

-

环境耗散-最大值

0.35 W