ON Semiconductor FDV304P-F169
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FDV304P-F169
1807-FDV304P-F169
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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P-Channel Digital FET -25V, -0.46A, 1.1Ω, 3000-REEL
1最小包装量--
FDV304P-F169详情
ON Semiconductor FDV304P-F169重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
EOL (Last Updated: 2 years ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-23-3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Lifecycle Status
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
Package
Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
460mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
厂商
onsemi
Power Dissipation (Max)
350mW (Ta)
Product Status
最后一次购买
Package Description
SOT-23, 3 PIN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
318-08
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
FDV304P-F169
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
终身购买
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.71
Drain Current-Max (ID)
0.46 A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
无铅代码
有
技术
MOSFET (Metal Oxide)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
Brand Name
安森美半导体
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
63 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
25 V
Vgs(最大值)
-8V
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.1 Ω
DS 击穿电压-最小值
25 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.35 W
场效应管特性
-
环境耗散-最大值
0.35 W
FDV304P-F169拓展信息
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