ON Semiconductor FDW254P
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FDW254P
1807-FDW254P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET P-CH 20V 9.2A 8-TSSOP
--最小包装量--
FDW254P详情
ON Semiconductor FDW254P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.3W Ta
Turn Off Delay Time
210 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
12MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-20V
额定电流
-9.2A
功率耗散
1.3W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
12mOhm @ 9.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5878pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
96nC @ 4.5V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
9.2A
阈值电压
600mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
输入电容
5.878nF
漏源电阻
12mOhm
最大rds
12 mΩ
高度
1mm
长度
3mm
宽度
4.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDW254P拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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