ON Semiconductor FDZ2552P
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FDZ2552P
1807-FDZ2552P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A, 20V, 0.045ohm, 2-Element, P-Channel, MOSFET
1最小包装量--
FDZ2552P详情
ON Semiconductor FDZ2552P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
18
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
ULTRA THIN, BGA-18
Package Style
网格排列
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
FDZ2552P
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.39
Part Package Code
BGA
Drain Current-Max (ID)
5.5 A
无铅代码
无
端子表面处理
未说明
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
18
JESD-30代码
R-PBGA-B18
资历状况
COMMERCIAL
配置
COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.045 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FDZ2552P拓展信息
ON Semiconductor
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