ON SEMICONDUCTOR FGA50N100BNTD

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

晶体管应用

汽车点火装置

极性/通道类型

N-CHANNEL

接通时间

460 ns

集电极电流-最大值(IC)

50A

关断时间-标准值（toff)

760 ns

集电极-发射器电压-最大值

1000V

RoHS状态

符合RoHS标准