ON Semiconductor FQA11N90C

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

130 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

900V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

11A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.1 Ω @ 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3290pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

上升时间

130ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

85 ns

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

900V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44A

雪崩能量等级（Eas）

960 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅