ON Semiconductor FQA8N80
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FQA8N80
1807-FQA8N80
无类别的
0402 (1005 Metric)
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MOSFET 800V N-Channel QFET Q-FET
1最小包装量--
FQA8N80详情
ON Semiconductor FQA8N80重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
0402 (1005 Metric)
表面安装
NO
供应商器件包装
0402
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Product Status
活跃
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Base Product Number
RN73R1E
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Package Description
TO-3P, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
NOT APPLICABLE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
NOT APPLICABLE
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
FQA8N80
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.33
Part Package Code
TO-3P
Drain Current-Max (ID)
8.4 A
系列
RN73R
操作温度
-55°C ~ 155°C
尺寸/尺寸
0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
容差
±0.5%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
终止次数
2
温度系数
±25ppm/°C
电阻
232 kOhms
端子表面处理
哑光锡
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.063W, 1/16W
附加功能
快速切换
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
失败率
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
33.6 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
850 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
座位高度(最大)
0.016 (0.40mm)
评级结果
AEC-Q200
FQA8N80拓展信息







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