ON Semiconductor FQAF27N25

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, Flat Lead Exposed Pad

表面安装

NO

供应商器件包装

HSNT-4-A

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

S-1313

厂商

ABLIC Inc.

Product Status

活跃

Package Description

TO-3PF, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

FQAF27N25

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

Part Package Code

TO-3PF

Drain Current-Max (ID)

19 A

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

S-1313

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

电压 - 输入（最大值）

5.5V

输出类型

固定式

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输出配置

Positive

操作模式

增强型MOSFET

输出电流

200mA

控制功能

启用

电压 - 输出（最小值/固定）

3.1V

稳压器数

1

保护特性

Overcurrent, Thermal Shutdown

静态电流（Iq）

1.35 µA

电压降（最大值）

0.32V @ 100mA

晶体管应用

SWITCHING

电源抑制比

-

极性/通道类型

N-CHANNEL

电压 - 输出（最大值）

-

漏极-源极导通最大电阻

0.11 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

76 A

DS 击穿电压-最小值

250 V

雪崩能量等级（Eas）

600 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR