ON Semiconductor FQB12N60TM

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

FQB12N60TM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.32

Part Package Code

TO-263

Drain Current-Max (ID)

10.5 A

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.7 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

42 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

790 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

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