ON Semiconductor FQB46N15TM_AM002

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK (TO-263AB)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.75W Ta 210W Tc

Turn Off Delay Time

210 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

已出版

2000

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

150V

额定电流

45.6A

元素配置

Single

功率耗散

3.75W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

42mOhm @ 22.8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3250pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

上升时间

320ns

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

200 ns

连续放电电流(ID)

45.6A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

150V

输入电容

3.25nF

漏源电阻

42mOhm

最大rds

42 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅