ON Semiconductor FQB47P06TM-AM002

工厂交货时间

7 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

47A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

3.75W Ta 160W Tc

Number of Elements

1

已出版

2013

系列

QFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

26m Ω @ 23.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

47A

漏极-源极导通最大电阻

0.026Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

188A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

820 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant