ON Semiconductor FQB5N20

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

16

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Lifecycle Status

PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

FQB5N20

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.73

Part Package Code

TO-263

Drain Current-Max (ID)

4.5 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

80 mW

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

工作电源电压

5 V

极性

Bipolar, Unipolar

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

界面

SPI, Serial

最大电源电压

5.25 V

最小电源电压

4.75 V

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

55 mW

比特数

14

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

输入数量

1

电源类型

Analog, Digital, Dual

极性/通道类型

N-CHANNEL

决议案

1.75 B

采样率

85 ksps

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大双电源电压

5.25 V

积分非线性(INL)

1 LSB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.5 A

最小双电源电压

4.75 V

漏极-源极导通最大电阻

1.2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18 A

A/D转换器数量

1

双电源电压

5 V

DS 击穿电压-最小值

200 V

转换器数量

1

转换率

85 ksps

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

52 W

微分非线性

1 LSB

模拟输入数

1

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

无

无铅

无铅