ON Semiconductor FQB5N20L

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

FQB5N20L

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.73

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

4.5 A

包装

Tape & Reel (TR)

容差

1 %

JESD-609代码

e0

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

50 ppm/°C

电阻

68.1 kΩ

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Metal Film

子类别

FET 通用电源

额定功率

250 mW

最大功率耗散

250 mW

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

军用标准

MIL-R-10509

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.5 A

漏极-源极导通最大电阻

1.25 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

52 W

特征

Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant

宽度

3.68 mm

长度

8.7376 mm

直径

3.68 mm

辐射硬化

无

无铅

含铅