ON Semiconductor FQB6N60

包装/外壳

2010 (5025 Metric)

表面安装

YES

供应商器件包装

2010

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Vishay Dale

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

FQB6N60

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.46

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

6.2 A

操作温度

-65°C ~ 170°C

系列

WSL

尺寸/尺寸

0.200 L x 0.100 W (5.08mm x 2.54mm)

容差

±1%

JESD-609代码

e0

终止次数

2

温度系数

±75ppm/°C

电阻

499 mOhms

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

组成

金属元素

功率(瓦特)

0.5W, 1/2W

附加功能

FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

失败率

-

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.2 A

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24.8 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

440 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3.13 W

特征

Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding

座位高度(最大)

0.035 (0.89mm)

评级结果

AEC-Q200