ON Semiconductor FQB85N06TM_AM002

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

D2PAK (TO-263AB)

Power Dissipation (Max)

3.75W Ta 160W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

85A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10mOhm @ 42.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4120pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

112nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±25V