ON Semiconductor FQB8N60CTM-WS

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 147W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 3.75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1255pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V