ON SEMICONDUCTOR FQD3P50

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.1A

漏极-源极导通最大电阻

4.9Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8.4A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR