ON Semiconductor FQD7P06TM_NB82050

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

3

质量

260.37mg

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 28W Tc

Turn Off Delay Time

7.5 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

450mOhm

元素配置

Single

功率耗散

2.5W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

451m Ω @ 2.7A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

295pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.2nC @ 10V

上升时间

50ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

5.4A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

-60V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅