ON Semiconductor FQE10N20C
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FQE10N20C
1807-FQE10N20C
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FQE10N20C详情
ON Semiconductor FQE10N20C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
FQE10N20C
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.76
Part Package Code
SIP
Drain Current-Max (ID)
4 A
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-126
漏极-源极导通最大电阻
0.36 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
16 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
320 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FQE10N20C拓展信息







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