ON Semiconductor FQG4902TU
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FQG4902TU
1807-FQG4902TU
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FQG4902TU详情
ON Semiconductor FQG4902TU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PDIP-T8
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
FQG4902TU
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.68
Part Package Code
DIP
Drain Current-Max (ID)
0.54 A
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDIP-T8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.54 A
漏极-源极导通最大电阻
2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
4.32 A
DS 击穿电压-最小值
250 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.4 W
FQG4902TU拓展信息







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