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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.619925
10
¥10.0188
100
¥9.451697
500
¥8.916695
1000
¥8.41198
ON Semiconductor FQI10N60CTU
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- 对比
FQI10N60CTU
1807-FQI10N60CTU
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FQI10N60CTU详情
ON Semiconductor FQI10N60CTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
供应商器件包装
I2PAK (TO-262)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
3.13W Ta 156W Tc
系列
QFET®
已出版
2003
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2040pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
57nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
FQI10N60CTU拓展信息
ON Semiconductor
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