ON Semiconductor FQI17P10TU
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FQI17P10TU
1807-FQI17P10TU
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
1210 (3225 Metric)
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MOSFET
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FQI17P10TU详情
ON Semiconductor FQI17P10TU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
1210 (3225 Metric)
表面安装
NO
供应商器件包装
1210
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG73P2
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
I2PAK-3
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
FQI17P10TU
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.32
Part Package Code
TO-262
Drain Current-Max (ID)
16.5 A
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
SG73P-RT
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.102 W (3.20mm x 2.60mm)
容差
±1%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
终止次数
2
温度系数
±200ppm/°C
电阻
422 kOhms
端子表面处理
锡铅
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.5W, 1/2W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
失败率
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262AA
漏极-源极导通最大电阻
0.19 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
66 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
580 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
座位高度(最大)
0.028 (0.70mm)
评级结果
AEC-Q200
FQI17P10TU拓展信息
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