ON Semiconductor FQI2N90

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

FQI2N90

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.31

Part Package Code

TO-262

Drain Current-Max (ID)

2.2 A

操作温度

-10°C ~ 70°C

系列

SXT324

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

JESD-609代码

e0

类型

兆赫晶体

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

19.6608 MHz

频率稳定性

±20ppm

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

70 Ohms

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

负载电容

17pF

操作模式

Fundamental

频率容差

±20ppm

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-262AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.2 A

漏极-源极导通最大电阻

7.2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8.8 A

DS 击穿电压-最小值

900 V

雪崩能量等级（Eas）

170 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

85 W

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

评级结果

-