ON Semiconductor FQI2P40

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

IN-LINE

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

2 A

Risk Rank

5.74

Package Description

I2PAK-3

Part Package Code

TO-262

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

FQI2P40

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-262AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2 A

漏极-源极导通最大电阻

6.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8 A

DS 击穿电压-最小值

400 V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

63 W