ON Semiconductor FQP6N80C

工厂交货时间

7 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

158W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5 Ω @ 2.75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1310pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±30V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.5A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22A

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

680 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant