ON Semiconductor FQP90N10V2

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

304 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

电阻

10mOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

100V

额定电流

90A

元素配置

Single

功率耗散

250W

接通延迟时间

52 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10mOhm @ 45A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6150pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

191nC @ 10V

上升时间

492ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

355 ns

连续放电电流(ID)

90A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

100V

双电源电压

100V

输入电容

6.15nF

漏源电阻

10mOhm

最大rds

10 mΩ

栅源电压

4 V

高度

9.4mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅