ON Semiconductor FQP9N25

触点镀层

Gold Over Nickel

表面安装

NO

本体材质

Brass

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Terminate To

同轴电缆

Operating Temp Range

-55C to 150C

Mounting Styles

通孔

Contact Materials

铍铜

Rad Hardened

无

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

25 ns

Package Description

TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

FQP9N25

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.31

Part Package Code

SFM

Drain Current-Max (ID)

9.4 A

包装

Box

终端

Solder

类型

TNC

端子表面处理

未说明

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

性别

RCP

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

阻抗

75(ohm)

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

90 W

本体镀层

Nickel

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

105 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

9.4 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.42 Ω

漏源击穿电压

250 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

37.6 A

DS 击穿电压-最小值

250 V

雪崩能量等级（Eas）

165 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

420 mΩ

本体样式

Straight

产品长度(mm)

25.4(mm)