ON Semiconductor FQPF10N60C_F105

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.5A Tc

Number of Elements

1

系列

QFET®

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

730m Ω @ 4.75A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2040pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.73Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

38A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准