ON Semiconductor FQPF19N20CYDTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

引脚数

3

质量

2.565g

Turn Off Delay Time

135 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

43W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

功率耗散

43W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

170m Ω @ 9.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1080pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

53nC @ 10V

上升时间

150ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

115 ns

连续放电电流(ID)

19A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准