ON Semiconductor FQPF50N06

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

质量

2.27g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

47W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2001

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

22mOhm

电压 - 额定直流

60V

额定电流

31A

元素配置

Single

功率耗散

47W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

22m Ω @ 15.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1540pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41nC @ 10V

上升时间

105ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

31A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

60V

双电源电压

60V

栅源电压

4 V

高度

9.19mm

长度

10.16mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅