ON Semiconductor FQPF8N80CXDTU
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FQPF8N80CXDTU
1807-FQPF8N80CXDTU
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MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
1最小包装量--
FQPF8N80CXDTU详情
ON Semiconductor FQPF8N80CXDTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
FQPF8N80CXDTU
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.75
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
8 A
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
1.55 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
32 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
850 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
unknown
FQPF8N80CXDTU拓展信息







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