ON Semiconductor FQT1N60C

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

FQT1N60C

Turn-on Time-Max (ton)

76 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Turn-off Time-Max (toff)

100 ns

Risk Rank

5.38

Drain Current-Max (ID)

0.2 A

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

11.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.8 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

0.2 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.1 W

反馈上限-最大值 (Crss)

6 pF