ON Semiconductor FQU17P06
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FQU17P06
1807-FQU17P06
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -60 V, -12 A, 135 mΩ, IPAK, 5040-TUBE
1最小包装量--
FQU17P06详情
ON Semiconductor FQU17P06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
FQU17P06
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.36
Part Package Code
TO-251
Drain Current-Max (ID)
12 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
快速切换
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12 A
漏极-源极导通最大电阻
0.135 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
300 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
44 W
FQU17P06拓展信息
ON Semiconductor
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