ON Semiconductor FQU2N60CTLTU

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

24 ns

Package Description

LEAD FREE, IPAK-3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

FQU2N60CTLTU

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

1.9 A

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5 W

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

25 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

1.9 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

4.7 Ω

漏源击穿电压

600 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7.6 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

4.7 Ω