ON Semiconductor FQU2N90TU

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 50W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

Single

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.2 Ω @ 850mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

900V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.7A