ON Semiconductor FQU3N60C

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

FQU3N60C

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Risk Rank

5.35

Drain Current-Max (ID)

2.4 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Turn-off Time-Max (toff)

160 ns

Turn-on Time-Max (ton)

104 ns

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-251AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.4 A

漏极-源极导通最大电阻

3.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9.6 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W

反馈上限-最大值 (Crss)

8 pF