FQU3N60TU
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ON Semiconductor FQU3N60TU

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型号

FQU3N60TU

utmel 编号

1807-FQU3N60TU

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

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FQU3N60TU
FQU3N60TU ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

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FQU3N60TU详情

ON Semiconductor FQU3N60TU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

  • 供应商器件包装

    I-PAK

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    2.4A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    2.5W Ta 50W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    QFET®

  • 已出版

    2000

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.6Ohm @ 1.2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    450pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    13nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

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技术文档: ON Semiconductor FQU3N60TU.

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