ON Semiconductor FQU4N50TU

表面安装

NO

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 45W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A Tc

系列

QFET®

已出版

2000

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

Reach合规守则

unknown

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.7 Ω @ 1.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

460pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.6A