ON Semiconductor FTD1011

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

2

Drain Current-Max (ID)

3 A

Risk Rank

5.84

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Part Package Code

TSSOP

Ihs Manufacturer

SANYO ELECTRIC CO LTD

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer Part Number

FTD1011

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.065 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1 W