ON Semiconductor GS71108TP-12
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GS71108TP-12
1807-GS71108TP-12
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GS71108TP-12详情
ON Semiconductor GS71108TP-12重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
32
Access Time-Max
12 ns
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Manufacturer
GSI技术
Manufacturer Part Number
GS71108TP-12
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
131072 words
Number of Words Code
128000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP2
Package Description
TSOP2, TSOP32,.46,32
Package Equivalence Code
TSOP32,.46,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Part Life Cycle Code
Obsolete
Part Package Code
TSOP2
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.29
Rohs Code
无
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.085 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.01 A
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
长度
20.95 mm
宽度
10.16 mm
GS71108TP-12拓展信息







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