ON Semiconductor H11B1TVM
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H11B1TVM
1807-H11B1TVM
无类别的
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H11B1TVM datasheet pdf and Unclassified product details from ON Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
H11B1TVM详情
ON Semiconductor H11B1TVM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
越来越多的功能
通孔安装
RoHS
有
Risk Rank
5.65
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
安森美半导体
Power Dissipation (Max)
0.15 W
Current Transfer Ratio-Min
500%
Manufacturer Part Number
H11B1TVM
Operating Temperature-Max
100 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Description
DIP-6
附加功能
UL APPROVED, VDE APPROVED
包装方式
TUBE
Reach合规守则
compliant
配置
SINGLE
光电子器件类型
达林顿输出光耦合器
正向电流-最大
0.08 A
正向电压-最大值
1.5 V
隔离电压-最大值
4170 V
暗电流(最大)
100 nA
集电极-发射器电压-最小值
25 V
H11B1TVM拓展信息







哦! 它是空的。